AUIRFS8407-7TRL全国供应商 AUIRFS8407-7TRL资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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说明
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AUIRFS8407-7TRL
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：钟小姐 18188616602
电话：0755-83239307
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
50000
IR
TO-263-7
26+
-
原装原厂正品现货

AUIRFS8407-7TRL
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214913352991361
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
INFINEON/英飞凌
TO-263-7
22+
-
十年配单，只做原装

AUIRFS8407-7TRL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
328326
INFINEON
con
24+
-
优势库存，原装正品

AUIRFS8407-7TRL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3860
INTERNATI
1521+
-
全新原装现货

AUIRFS8407-7TRL
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
IOR
TO263
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

AUIRFS8407-7TRL
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
328326
INFINEON
con
24+
-
优势库存，原装正品

AUIRFS8407-7TRL
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
328326
INFINEON
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

AUIRFS8407-7TRL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
328326
INFINEON
con
24+
-

AUIRFS8407-7TRL
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
328326
INFINEON
con
24+
-

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制造商
International Rectifier
功能描述
MOSFET N-CH 40V 306A D2PAK
制造商
International Rectifier
功能描述
T&R / Automotive G12.7 MOSFET 40VN

AUIRFS8407-7TRL 技术参数

AUIRFS8407-7P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:50 AUIRFS8407 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS8405 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:161nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5193pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:163W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS6535TRL 功能描述:MOSFET N CH 300V 19A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:185 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2340pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRFS6535 功能描述:MOSFET N CH 300V 19A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:185 毫欧 @ 11A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1,000 AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSL4115 AUIRFSL4310 AUIRFSL6535 AUIRFSL8403 AUIRFSL8405 AUIRFSL8407 AUIRFSL8409 AUIRFU1010Z AUIRFU3607 AUIRFU4104 AUIRFU4292 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403 AUIRFU8405 AUIRFZ24NS AUIRFZ24NSTRL

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