配单专家企业名单

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说明
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AUIRFR4615TRL
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
INFINEON
TO-252
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

AUIRFR4615TRPBF
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
IR
SOT252
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

AUIRFR4615TRPBF
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2500
IR
SOT252
13+
-
全新原装现货

AUIRFR4615TRL
深圳市欧瑞芯电子有限公司
深圳市欧瑞芯电子有限公司
联系人：韩小姐原装、张先生代理、张小姐香港公司
电话：0755-82714889135304089901847561915913682488994
地址：深圳市福田区现代之窗A座11C/香港元朗区宏业西街33号元朗贸易中心206室
资质：营业执照
35000
INFINEON/英飞凌
TO-252
25+
-
原厂原装现货支持实单

AUIRFR4615TR-VB
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
388176
VBSEMI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

AUIRFR4615TR-VB
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
388176
VBSEMI
con
24+
-

AUIRFR4615TR-VB
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
388176
VBSEMI
con
24+
-

AUIRFR4615TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
IR
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品公司现货！

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功能描述
MOSFET AUTO 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRFR4615TR 技术参数

AUIRFR4615 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1750pF @ 50V 功率 - 最大值:144W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-PAK（TO-252AA）标准包装:75 AUIRFR4292TRL 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:345 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:3,000 AUIRFR4292 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:345 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:75 AUIRFR4105ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:740pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:3,000 AUIRFR4105Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:740pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRFR5410 AUIRFR5410TRL AUIRFR5505 AUIRFR5505TRL AUIRFR6215 AUIRFR6215TRL AUIRFR8401 AUIRFR8401TRL AUIRFR8403 AUIRFR8403TRL AUIRFR8405 AUIRFR8405TRL AUIRFR9024N AUIRFR9024NTRL AUIRFS3004 AUIRFS3004-7P AUIRFS3004-7TRL AUIRFS3004TRL

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