AUIRF7647S2TR全国供应商 AUIRF7647S2TR资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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封装
批号
价格
说明
操作

AUIRF7647S2TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
23300
INTERNATI
1521+
-
全新原装现货

AUIRF7647S2TR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
晶体管

AUIRF7647S2TR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
328505
INFINEON
con
24+
-
优势库存，原装正品

AUIRF7647S2TR
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
8650
HAMOS/汉姆
MG-WDSON-5
25+
-
全新原装正品现货，价格优势，假一罚十

AUIRF7647S2TR
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
328505
INFINEON
con
24+
-
优势库存，原装正品

AUIRF7647S2TR
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
328505
INFINEON
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

AUIRF7647S2TR
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
晶体管

AUIRF7647S2TR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
328505
INFINEON
con
24+
-

AUIRF7647S2TR
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
328505
INFINEON
con
24+
-

AUIRF7647S2TR
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
Internation.Rectifer
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

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功能描述
MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRF7647S2TR 技术参数

AUIRF7640S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Ta），21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SB 供应商器件封装:DIRECTFET SB 标准包装:1 AUIRF7484QTR 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 14A，7V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7484Q 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 14A，7V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7478QTR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1740pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7478Q 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1740pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7739L2TR AUIRF7749L2TR AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405

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