APT60N90JC3

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APT60N90JC3
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
30
msc
dc09
-
公司现货!只做原装!

APT60N90JC3
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
msc
22+
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行业低价，代理渠道

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
Super Junction MOSFET

APT60N90JC3 技术参数

APT60N60SCSG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 44A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:431W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT60N60SCSG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:190nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V FET 功能:超级结功率耗散（最大值）:431W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 44A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 APT60N60BCSG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 44A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:431W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT60M80L2VRG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:590nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13300pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:264 MAX? [L2] 标准包装:1 APT60M80JVR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:870nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14500pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT65GP60L2DQ2G APT66F60B2 APT66F60L APT66M60B2 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J