APT5020BNFR

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

APT5020BNFR
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯专营优势产品

APT5020BNFR
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
6500
MICROSEMI
TO-247
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

APT5020BNFR
深圳市欧瑞芯电子有限公司
深圳市欧瑞芯电子有限公司
联系人：韩小姐原装、张先生代理、张小姐香港公司
电话：0755-82714889135304089901847561915913682488994
地址：深圳市福田区现代之窗A座11C/香港元朗区宏业西街33号元朗贸易中心206室
资质：营业执照
11600
MICROSEMI
TO-247
25+
-
原厂渠道原装现货假一罚十真实库存

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您是不是要找： APT5022BNG APT5024BLLG APT5025BN APT50DF170HJ APT50DL120HJ APT50DL60HJ APT50GF120B2RG APT50GF120JRDQ3 APT50GF120LRG

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD

APT5020BNFR 技术参数

APT5020BN 功能描述:MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 14A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 APT5018BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2596pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT5016BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2833pF @ 25V 功率 - 最大值:329W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT5016BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2833pF @ 25V 功率 - 最大值:329W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT5014SLLG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:72nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3261pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:403W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 17.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:1 APT50GF60JU2 APT50GF60JU3 APT50GLQ65JU2 APT50GN120B2G APT50GN120L2DQ2G APT50GN60BDQ2G APT50GN60BG APT50GP60B2DQ2G APT50GP60BG APT50GP60J APT50GP60JDQ2 APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG