APT20M20LLL

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT20M20LLL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
APT
模块
15+
-
原装正品，假一罚十

APT20M20LLLX
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT
标准封装
10+
-
全新原装100%正品保证质量

APT20M20LLL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
模块
10+
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

APT20M20LLL
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13170
APT
直插/贴片
2025+
-
代理商库房现货

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
POWER MOS 7 MOSFET

APT20M20LLL 技术参数

APT20M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:112A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11640pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT20M120JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7736pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:672 毫欧 @ 14A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT20M120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:672 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7736pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT20M11JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:175A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT20M11JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:175A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B