AOT10T60L全国供应商【买卖IC网】AOT10T60L资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

AOT10T60L
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈燕如 13360063753
电话：0755-82564006
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
50000
AOS
TO-220
26+
-
原装原厂正品现货

AOT10T60L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2435
AOS
TO-220
1311+PB
-
全新原装现货

AOT10T60L
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214913352991361
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
AOS/ 万代
TO-220
22+
-
十年配单，只做原装

AOT10T60L
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
AOS/万代
TO-220
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

AOT10T60L
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
487
AOS
TO-220
1311+PB
-
原装现货/特价

AOT10T60L
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：杜女生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场52层5203★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
AO/万代
TO-220
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
700毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1346pF @ 100V
功率 - 最大值
208W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
标准包装
50

AOT10T60L 技术参数

AOT10N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1645pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT10N60L 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:1,000 AOT10N60_001 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1 AOT10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT10B65M2 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:150W 开关能量:180μJ（开），130μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，10A，30 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:262ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT11S65L AOT12N30L AOT12N40L AOT12N50 AOT12N60 AOT12N60_001 AOT12N60FD AOT12N65 AOT12N65_001 AOT13N50 AOT1404L AOT14N50 AOT14N50FD AOT15B60D AOT15B65M1 AOT15S60L AOT15S65L AOT1606L