AOA400

配单专家企业名单

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说明
操作

AOA400
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
AOSMD
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

AOA400
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
AOSMD
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

AOA400
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
AOSMD
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

AOA400-ENG
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
AO
TO-263
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

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您是不是要找： AO-AGSM-OM54 AOB10B60D AOB10B65M1 AOB10N60L AOB10T60PL AOB1100L AOB11C60 AOB11C60L AOB11N60L

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制造商
AOSMD
制造商全称
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOA400 技术参数

AO9926C 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO9926BL_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO9926BL 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO9926B 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO8830 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:290pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 AOB11S60L AOB11S65L AOB12N50L AOB12N60FDL AOB12N65L AOB12T60PL AOB1404L AOB14N50 AOB15B60D AOB15B65M1 AOB15S60L AOB15S65L AOB1606L AOB1608L AOB20C60 AOB20C60L AOB20C60PL AOB20S60L