AO8801L

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数量
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说明
操作

AO8801L
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
AOSMD
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

AO8801L
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
AOS
TSSOP8
08+/09+
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

AO8801L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
150000
ALPHA
TSSOP08
12+
-
全新原装现货

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1

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制造商
AOSMD
制造商全称
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AO8801L 技术参数

AO8801AL 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:905pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:1 AO8801A 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:905pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:3,000 AO8801 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 8TSSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 4.7A， 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1450pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:3,000 AO7801 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:140pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 AO7800 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:120pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 AO8814#A AO8818 AO8820 AO8822 AO8822#A AO8830 AO9926B AO9926BL AO9926BL_101 AO9926C AO-AGSM-OM54 AOB10B60D AOB10B65M1 AOB10N60L AOB10T60PL AOB1100L AOB11C60 AOB11C60L