2N6039G

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功能描述
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—基极电压 VCBO
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-18
封装
Reel

2N6039G 技术参数

2N6039 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 2N6038G 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N6038 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N6036G 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N6036 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N6048 2N6049 2N6051 2N6052 2N6052G 2N6055 2N6058 2N6059 2N6071AG 2N6071ATG 2N6071BG 2N6071BT 2N6071BTG 2N6073AG 2N6073BG 2N6075AG 2N6075BG 2N6076