2SC2712-GR(TE85L,F

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SC2712-GR(TE85L,F)
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9733
TOSHIBA
SOT23/SOT323
09PB
-
绝对公司原装现货

2SC2712-GR(TE85L,F
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
2000
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SC2712-GR(TE85L,F
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
2000
TOSHIBA
con
24+
-
晶体管

2SC2712-GR(TE85L,F
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
62983
TOSHIBA/东芝
SOT-23
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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您是不是要找： 2SC2712-GR,LF 2SC2712-OTE85LF 2SC2712-Y,LF 2SC2713-BL,LF 2SC2713-GR,LF 2SC2714-O(TE85L,F) 2SC2714-Y(TE85L,F) 2SC27780CL 2SC2812N6-CPA-TB-E

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功能描述
两极晶体管 - BJT 150mA 50V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SC2712-GR(TE85L,F 技术参数

2SC2712-BL,LF 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:3,000 2SC2705-Y(TE6,F,M) 功能描述:TRANS NPN 150V 0.05A TO-92 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:LSTM 标准包装:3,000 2SC2705-O(TPE6,F) 功能描述:TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:LSTM 标准包装:3,000 2SC2705-O(TE6,F,M) 功能描述:TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:LSTM 标准包装:3,000 2SC2655-Y,WNLF(J 功能描述:TRANS NPN 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SC2812N6-TB-E 2SC2814-4-TB-E 2SC2837 2SC2839E-SPA-AC 2SC2859-GR(TE85L,F 2SC2859-O(TE85L,F) 2SC2859-Y(TE85L,F) 2SC2881-O-TP 2SC2921 2SC2922 2SC29250SA 2SC2988 2SC3063 2SC3074-O(Q) 2SC3074-Y(Q) 2SC31300QL 2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3225,T6ALPSF(M