1N5551

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 400V 5A 2-Pin Case E
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STD RECOVERY RECTFR 400V 5A 2PIN E - Bulk
制造商
Solid State Devices Inc (SSDI)
功能描述
RECTIFIER, STANDARD, 3A, 400V, G-4; Diode Type
制造商
Solid State Devices Inc (SSDI)
功能描述
RECTIFIER, STANDARD, 3A, 400V, G-4; Diode Type
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Switching 400V 5A 2-Pin Case E

1N5551 技术参数

1N5550US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5550C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5550 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5546BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5546B 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:113 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5553US 1N5554 1N5554C.TR 1N5554US 1N5554US/TR 1N5555 1N5556 1N5557 1N5558 1N5610 1N5611 1N5613 1N5614 1N5614GP-E3/54 1N5614GP-E3/73 1N5614GPHE3/54 1N5614US 1N5615