1N5348BRLG全国供应商 1N5348BRLG资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5348BRLG
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
8000
ONSemico
CASE17
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

1N5348BRLG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON
06+
-
假一罚十，百分百原装正品

1N5348BRLG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品质量保障电话010-62104...

1N5348BRLG
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
ON SEMICONDUCTOR
con
24+
-
集成电路（IC）

1N5348BRLG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ON
CASE017AA
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N5348BRLG
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
ON SEMICONDUCTOR
con
24+
-
集成电路（IC）

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功能描述
稳压二极管 11V 5W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N5348BRLG 技术参数

1N5348BRL 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:4,000 1N5348BG 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1,000 1N5348BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5348BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5348BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5349/TR12 1N5349/TR8 1N5349A/TR12 1N5349A/TR8 1N5349AE3/TR12 1N5349AE3/TR13 1N5349AE3/TR8 1N5349B 1N5349B/TR8 1N5349BE3 1N5349BE3/TR12 1N5349BE3/TR13 1N5349BE3/TR8 1N5349BG 1N5349BRL 1N5349BRLG 1N5349B-TP 1N5349C/TR12

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