10A06-T全国供应商【买卖IC网】10A06-T资料|PDF Datasheet|价格 Diodes Incorporated

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

10A06-T
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Diodes
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

10A06-T
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
DIODES/美台
R-6
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

10A06-T
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
1653
DIODES/美台
R-6
20+
-
DIODES授权代理商

10A06-T
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24680
5980
R-6
新批次
-
原装现货假一赔十

10A06-T
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
651
DIODES(美台)
R-6
20+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

10A06-T
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
500
DIODES INC.
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

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功能描述
整流器 10A 800V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

10A06-T 技术参数

10A060 功能描述:TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:24V 频率 - 跃迁:1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:21W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 400mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 工作温度:200°C（TJ）安装类型:接线柱安装封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10A05-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A04-T 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:150pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A030 功能描述:TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:24V 频率 - 跃迁:2.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:7.8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:13W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 200mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 工作温度:200°C（TJ）安装类型:接线柱安装封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10A02-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:150pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10AS016C4U19I3SG 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG 10AS016E3F29I1HG 10AS016E3F29I1SG 10AS016E3F29I2LG 10AS016E3F29I2SG 10AS016E4F27E3LG

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